新型晶体管Hole FinFET

参赛队名

　　微知

　　牵头单位

　　中国科学院微电子研究所

　　项目名称

　　新型晶体管Hole FinFET

　　项目介绍

　　本专利的技术方案涉及半导体器件及其制造方法，属于代表未来16nm及以下主流的三维鳍式场效应晶体管（FinFET）器件结构和制造工艺，在过去近半个世纪，传统的平面器件无法抑制日益严重的短沟道效应和维持驱动性能的提高，FinFET技术是克服上述挑战的主要手段之一，本专利提出了一种兼具平面MOSFET和FinFET优点的新型MOSFET器件结构。解决了半导体制造领域中在抑制器件的短沟道效应的同时减小寄生电容和寄生电阻的这一世界性共性难题。

　　获得荣誉

　　2018年北京市海淀区高价值专利培育大赛二等奖。