一种铕掺杂的g-C₃N₄基半导体材料及其制备方法

本发明公开了一种铕掺杂的g‑C₃N₄基半导体材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)将铕的水溶性无机盐、三聚氰酸、2,4‑二氨基‑6‑苯基‑1,3,5‑三嗪和超纯水混合，搅拌均匀，得到混合液；(2)将混合液烘干，得到白色固体前驱体；(3)将白色固体前驱体在惰性气体保护下，在450℃～550℃煅烧2～4h，自然冷却，得到所述铕掺杂的g‑C₃N₄基半导体材料，其中所述g‑C₃N₄基半导体材料中Eu含量为0～10wt％且不包括0wt％。本发明通过不同比例铕元素的掺杂，g‑C₃N₄基半导体材料的荧光可从亮蓝色红移至黄绿色。