• :
  • :

一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器

公开(公告)号:CN108899759A

申请日:2018.08.15

公开(公告)日:2018.11.27

分类号:H01S5/06(2006.01)I H01S5/12(2006.01)I H01S5/40(2006.01)I H01S5/50(2006.01)I

申请(专利权)人:武汉光迅科技股份有限公司

申请日期:2018.08.15

本发明实施例提供一种混合集成混沌半导体激光器芯片及激光器。所述激光器芯片包括第一芯片衬底,固定于所述第一芯片衬底的上表面且依次连接的第一激光器组件、无源光波导与第二激光器组件;所述第一激光器组件与所述第二激光器组件,均为DFB与SOA的集成芯片;第一激光器组件的SOA,用于控制互注入强度,并产生放大的自发辐射噪声,以对第一激光器组件的DFB与所述第二激光器组件的DFB产生的激光进行随机扰动;第二激光器组件的SOA,用于控制输出光功率的大小,或者调节注入光功率与反馈强度的大小。本发明实施例两个激光器的混沌互注入结构产生混沌光,实现混沌同步,结构简单,易于控制。