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DRAM输出驱动电路及其减小漏电的方法

公开(公告)号:CN109741775A

申请日:2018.12.29

公开(公告)日:2019.05.10

分类号:G11C11/4096

申请(专利权)人:西安紫光国芯半导体有限公司

申请日期:2018.12.29

本发明一种DRAM输出驱动电路及其减小漏电的方法,包括依次连接在工作电压端和接地电压端的上拉晶体管和下拉晶体管,上拉晶体管和下拉晶体管之间驱动电压输出端dq;所述的上拉晶体管的基底连接电压选择器的输出端,电压选择器的输入端分别连接对应的加载电压和额外加载电压,电压选择器的控制端连接电压选择信号。通过设置的电压选择器针对不同的上拉晶体管,在不同状态下选择不同大小的基底电压,使其能够针对不同上拉晶体管的漏电流的大小和阈值电压的相关性,实现输出驱动电路在省电模式时减小漏电流,从而减小漏电,并且在正常工作的情况下能够给输出级提供足够的驱动能力;有效减少DRAM输出驱动电路在省电模式下的漏电流。