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基于管状金属氧化物的三维微柱阵列活性电极及制备方法

公开(公告)号:CN109659146A

申请日:2018.12.18

公开(公告)日:2019.04.19

分类号:H01G11/24 H01G11/46 H01G11/68 H01G11/28 H01G11/86

申请(专利权)人:清华大学

申请日期:2018.12.18

本发明公开了属于微储能器件领域的一种基于管状金属氧化物的三维微柱阵列活性电极及制备方法。在硅基底上依次附着Si/SiO2,三维的微柱阵列电极、纳米金属氧化物活性电极薄膜和三维微柱阵列电极的集流体,组成三维微柱阵列活性电极。以氧化钌、氧化锰等为纳米金属氧化物。首先加工微柱及“微草”结构;继而以“微草”结构为沉积模板,制备具有三维管状的纳米金属氧化物薄膜,得到三维微柱阵列活性电极。该管状微结构促进了电极比表面积的提升,使其具有优异的电化学储能特性,比容量高达99.3mF/cm2,用于超级电容器电极,有效的促进了微储能器件能量密度和功率密度的提升,为应用于可穿戴电子器件、无线传感网络提供了帮助。