具有应力缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器

本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有应力缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；本发明的目的在于提供一种具有应力缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器，通过在单晶薄膜层和键合层间设计应力缓冲层的设计以解决现有技术存在的由于键合层材料与晶圆在不采用相同类型材料时，在升温和降温过程中会由于两种材料热膨胀系数的不同而在单晶晶圆与键合层之间产生热失配应力，如果衬底材料种类也与晶圆材料不同，则会在薄膜上再次叠加应力，极易造成薄膜材料开裂技术问题。