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一种抑制横向声波损耗的薄膜体声波谐振器及其制作方法

公开(公告)号:CN109714017A

申请日:2018.12.29

公开(公告)日:2019.05.03

分类号:H03H9/02 H03H9/17 H03H3/02

申请(专利权)人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

申请日期:2018.12.29

本发明公开了一种抑制横向声波损耗的薄膜体声波谐振器,包括:压电层;上电极,所述上电极沿第一方向覆盖所述压电层;下电极,所述下电极沿第二方向包围所述压电层的底面和侧面;以及衬底。基于本发明的该种抑制横向声波损耗的薄膜体声波谐振器结构,可以很好地降低谐振器的横向声波泄露,改善谐振器谐振特性,便于薄膜体声波谐振器结构向高性能、低功耗的方向发展。