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单晶压电薄膜体声波谐振器及其形成方法

公开(公告)号:CN109831173A

申请日:2018.12.26

公开(公告)日:2019.05.31

分类号:H03H3/02 H03H9/02 H03H9/17 H03H9/56

申请(专利权)人:天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司

申请日期:2018.12.26

本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器及其形成方法。该形成方法包括:在供体基底之上形成压电结构和底电极,其中底电极在压电结构之上;在转移基底的顶表面形成空腔;将压电结构和底电极脱离供体基底并且倒置转移到转移基底之上,并且其中,倒置转移完毕后底电极在转移基底之上并且覆盖空腔,压电结构在底电极之上;在压电结构之上形成顶电极。该方法简便易行,该谐振器性能良好。