改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法

本发明公开一种改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法，包括以下步骤：(1)将晶锭的主定位边均匀涂抹胶层，所述胶层覆盖主定位边；(2)将晶锭粘在石墨工装上；(3)将所述石墨工装连同晶锭安装于线切割机的加工平台上，进行线切割加工，得到晶片；(4)对晶片进行双面研磨、抛光加工；(5)将涂抹在晶片主定位边垂直面及上沿处的胶层去除。本发明解决现有晶片加工过程中保护主定位边的问题。