• :
  • :

薄膜体声波滤波器及其封装方法

公开(公告)号:CN109660227A

申请日:2018.12.24

公开(公告)日:2019.04.19

分类号:H03H9/02 H03H9/05 H03H9/10 H03H9/56 H03H9/58 H03H3/02

申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院

申请日期:2018.12.24

本发明揭示了一种薄膜体声波滤波器及其封装方法,所述滤波器包括硅衬底、沉积于硅衬底正面上的多层绝缘层、沉积于最顶层的绝缘层上的FBAR器件、背腔和至少两个导电柱,FBAR器件包括自绝缘层的顶面从下往上依次沉积的下电极、压电材料层和上电极;背腔自硅衬底的背面刻蚀至下电极形成,且背腔对应的位置为压电振荡有效区域,导电柱从硅衬底的背面引出上、下电极。本发明具有增加FBAR器件机械牢固性、提高FBAR器件性能、节约电极引出空间,可靠性更高、可以保护FBAR器件的压电振荡有效区域等优点。